碳化硅因其优异的物理特性，逐渐成为功率半导体技术的研究热点，但是其功率器件的封装存在高结温、高导热以及高温下不够稳定的问题。普通封装胶的耐温性能和导热性能低、热膨胀系数高，无法满足碳化硅器件的封装。如何提高封装胶的耐温和导热性能、降低其热膨胀系数是研究重点。采用耐温环氧树脂和氨苯砜固化剂、以球形和片状氧化铝为导热填料制备的封装胶，固化后表现出较低的热膨胀系数、较高的热导率和Tg值，此研究可为碳化硅器件封装材料提供一种思路。
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