基于SiC MOSFET非线性电容CGD的Matlab电路仿真模型

作者：杜星; 王翠霞; 余有灵; 吴江枫; 刘坤; 李思思

来源：机车电传动, 2020, (01): 49-73.

DOI：10.13890/j.issn.1000-128x.2020.01.010

• Matlab
• Simulink
• SiC MOSFET
• 非线性器件
• 等效电路模型
• 曲线拟合
• 仿真模型
• 建模

基于Matlab和Simulink,提出了一种针对非线性器件的建模方法。以CREE公司的型号为C2M0080120D的SiC MOSFET为例,对其非线性电容CGD进行等效电路建模,采用曲线拟合的方法,使原本在Simulink中不易实现的功率器件的非线性电容特性得以表征,将该模型的特性与datasheet进行对比,模型精度达到97.44%,证明了该模型的准确性。

• 单位
  同济大学