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摘要
基于自主研发的0.5μm工艺高压GaN HEMT管芯,采用有源器件模型和无源器件模型与大功率内匹配合成技术相结合,成功设计并实现了一款用于长脉宽、大占空比工作的S波段大功率高效率内匹配功率器件,大幅度提升了设计的精确度和效率。本文设计的功率管在2.7～3.2GHz,脉宽3ms,占空比30%,VDS=28V下实现输出功率大于230W,功率附加效率大于60%,功率增益大于12.6dB的增益指标,具备工程化应用的条件,具有广阔的应用前景。
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基于自主研发的0.5μm工艺高压GaN HEMT管芯,采用有源器件模型和无源器件模型与大功率内匹配合成技术相结合,成功设计并实现了一款用于长脉宽、大占空比工作的S波段大功率高效率内匹配功率器件,大幅度提升了设计的精确度和效率。本文设计的功率管在2.7～3.2GHz,脉宽3ms,占空比30%,VDS=28V下实现输出功率大于230W,功率附加效率大于60%,功率增益大于12.6dB的增益指标,具备工程化应用的条件,具有广阔的应用前景。
