埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究

作者：蔡浩; 张霞; 王斌; 谭开洲

来源：微电子学, 2020, 50(05): 755-760.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190643

• 静电感应晶体管
• 垂直双扩散MOSFET
• 单粒子烧毁效应
• Medici

对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究。利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生单粒子烧毁效应的临界漏极偏压。仿真结果表明,SIT与VDMOS两种器件常态击穿分别为580 V和660 V,在栅极关断电压为-10 V下,SIT的单粒子烧毁效应临界漏极电压为440 V,远高于VDMOS关断时230 V的临界漏极电压;SIT发生SEB效应时的漏极电流数量级为10-3A/μm,而VDMOS发生SEB效应时的漏极电流数量级为10-4A/μm,SIT在抗SEB效应方面比VDMOS具有更大的优势。同类研究少见文献报道。对埋栅SIT样品进行了试制,样品击穿电压为530 V。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十四研究所; 重庆邮电大学