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摘要
本申请实施例涉及通信技术领域,特别涉及一种2比特高功率放大型非互易反射式超表面,包括多个呈阵列分布的超表面单元；每个超表面单元包括依次叠设的第一金属层、中间层和第二金属层；第二金属层包括接收金属贴片和发射金属贴片；接收金属贴片上设有两个二极管,且两个二极管均位于接收金属贴片的纵向中轴线上；发射金属贴片的开槽方向与接收金属贴片的开槽方向正交；第一金属层包括移相器,移相器包括构成可重构的90度相移电路的第一串联二极管和第二串联二极管,通过调节二极管状态,使电磁波相位具有2比特,即四种独立调控能力。本申请实施例能够在保证稳定的增益放大特性的同时,实现稳定的相位调制。
- 单位
