N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长

作者：李亮; 罗伟科; 李忠辉; 董逊; 彭大青; 张东国

来源：发光学报, 2013, (11): 1500-1504.

• 氮化镓
• 氮极性
• 成核层
• 金属有机物化学气相沉积

采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇摆曲线和光致荧光(PL)谱测试研究了成核层生长时间对N极性GaN薄膜晶体质量和发光性能的影响。研究结果表明,成核层生长时间为300 s时,N极性GaN薄膜样品的位错密度最低,发光性能最好。采用拉曼(Raman)光谱对样品的应变状态进行了分析。