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摘要
针对n-on-p型长波Hg1-x Cdx Te红外探测器的暗电流进行建模分析,分析了不同机制对暗电流的影响,仿真分析结果和实际结果能够较好地匹配。得出探测器的工作状态暗电流Idark=9×10-10 A,工作电阻Rr=109Ω,品质因子R0A=20Ωcm2。从仿真分析结果得出,在现有工艺下,Shockley-Read-Hall(SRH)复合和表面漏电是影响暗电流的最主要的非本征因素,其中SRH复合速率为2×1016/s·cm3,当表面态到达1×1012 cm-2,器件会出现严重的表面沟道。
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单位华北光电技术研究所
