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摘要
本发明公开了一种p-BN/i-AlGaN/n-AlGaN的紫外探测器及其制作方法,主要解决现有AlGaN基紫外探测器的响应时间较长、量子效率较低以及光谱响应度较差的问题。其自下而上包括：衬底、AlN成核层、AlN本征层、AlGaN本征层、n型AlGaN层、n电极、i型AlGaN层、P型BN层和p电极,其特征在于,p型BN层采用厚度为60-100nm的Mg掺杂的纤锌矿氮化硼材料,掺杂的浓度为5×1017-1×1019cm-3以上的Mg掺杂的纤锌矿氮化硼材料。本发明由于P型氮化硼能够有效地提供空穴,使得探测器的响应时间变短、量子效率以及光谱响应度提升,可用于光通信、生化分析、臭氧检测和公安刑侦。
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