柔性电子器件是未来功能化集成电子发展的方向之一,其中用于信息存储及处理的高性能柔性存储器是重要的组成部分。忆阻器(resistive random access memory,ReRAM)因其超快运行速度、微缩性好及功耗低等优点,成为最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。主要总结了忆阻器发展历程、电阻转变物理机制、以及柔性忆阻器的研究进展。通过对比不同介质层柔性忆阻器在阻变转换耐久性和弯曲疲劳耐久性的差异,系统讨论分析了影响柔性忆阻器性能的原因。
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