一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管及其室温制备方法

作者：姚日晖; 李晓庆; 宁洪龙; 史沐杨; 梁宏富; 李志航; 袁炜健; 张观广; 张旭; 彭俊彪

来源：2019-07-11, 中国, CN201910623038.7.

本发明公开了一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管的室温制备方法,包括步骤：(1)将玻璃基板清洗、烘干；(2)在玻璃基板上采用直流磁控溅射沉积Al:Nd合金薄膜,通过湿法刻蚀图形化,形成栅极；(3)在Al:Nd栅极上通过阳极氧化法生长一层Al2O3:Nd栅极绝缘层；(4)采用脉冲激光沉积系统,通过掩模在Al2O3:Nd栅极绝缘层上沉积一层GZO半导体层；(5)采用真空蒸镀设备,通过掩模在GZO半导体层上蒸镀一层Al源漏电极。本发明采用了GZO半导体材料制备薄膜晶体管的有源层,不含In元素且Ga、Zn、O三种元素均无毒,符合绿色环保的发展趋势。有源层采用了脉冲激光沉积法制备,操作简单,可重复性高,整个器件制备均在室温下完成,无需退火,有效降低器件成本。

• 单位
  华南理工大学