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摘要
集成电路失效/缺陷分析是可靠性分析的重要手段,目前的分析技术不能满足亚微米级集成电路无损分析需求。该文提出一种解决方案,利用弱磁探测技术无损绘制内部3维线路图和电流密度分布图,从而判断制作工艺是否存在缺陷,或者集成电路是否失效。被检测后的集成电路可以继续使用,这对于超高可靠性要求的使用场合尤为重要。文中还叙述了系统的工作原理,主要部分的结构及电路原理。
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集成电路失效/缺陷分析是可靠性分析的重要手段,目前的分析技术不能满足亚微米级集成电路无损分析需求。该文提出一种解决方案,利用弱磁探测技术无损绘制内部3维线路图和电流密度分布图,从而判断制作工艺是否存在缺陷,或者集成电路是否失效。被检测后的集成电路可以继续使用,这对于超高可靠性要求的使用场合尤为重要。文中还叙述了系统的工作原理,主要部分的结构及电路原理。
