摘要

采用高温煅烧法制备了不同质量比的g-C3N4/Ti O2复合半导体光催化材料。通过X射线衍射(XRD)和光致荧光光谱(PL)对样品的结晶性能和发光性能进行表征。发现随着g-C3N4与Ti O2的复合使样品的结晶性能下降,晶格结构出现更多的缺陷而导致样品的荧光强度下降。以罗丹明B(Rh B)为目标降解物,在户外太阳光的照射下,研究g-C3N4/Ti O2样品的催化活性。发现由于样品的结晶性下降而在样品表面出现更多陷阱,更有利于捕获从g-C3N4转移到Ti O2的电子,而降低了光生载流子的复合率,而提高了g-C3N4/Ti O2复合半导体光催化材料。

  • 单位
    牡丹江师范学院; 电子工程学院