具有Cr阻挡层的GaAs欧姆接触工艺研究

作者：李博; 李辉; 李晓雪; 闫昊; 郝永芹^*

来源：中国激光, 2022, 49(11): 43-52.

• 材料
• 半导体器件
• 欧姆接触
• 扩散阻挡层
• 合金化
• 比接触电阻率

研究了金属Cr作为扩散阻挡层的GaAs欧姆接触技术，设计了Au/Cr/AuGe/Ni和Ti/Cr/Au两种欧姆接触合金系统，并对Cr阻挡层厚度与退火条件进行了优化。研究结果表明：两种合金系统均可在380～480℃退火条件下形成欧姆接触，且Au/Cr/AuGe/Ni系统在420℃/60 s退火条件下的比接触电阻率为2.63×10-6Ω·cm2,相较于在相同基底上镀制的Au/Ni/AuGe/Ni合金系统比接触电阻率的最低值1.54×10-5Ω·cm2降低了近一个数量级，且具有更好的表面形貌；Ti/Cr/Au系统在440℃/60 s退火条件下的比接触电阻率为6.99×10-7Ω·cm2,且在420～460℃相对较宽的温度范围内均可获得低的比接触电阻率。

• 单位
  高功率半导体激光国家重点实验室; 长春理工大学