基于吸波结构的THz谐振器及其传感特性

作者：郭函; 马文英; 马长伟; 唐雨竹

来源：成都信息工程大学学报, 2020, 35(02): 134-138.

DOI：10.16836/j.cnki.jcuit.2020.02.002

• 太赫兹
• 吸波结构
• 谐振器
• 传感特性

设计了一种基于吸波结构的THz谐振器。该结构单元由三开口金属谐振环、有损绝缘基板及连续金属膜组成,分别对FR4材料基板以及PI基板的THz谐振器进行仿真,分析了两种介质损耗不同的中间层基板对THz谐振器的吸收率及品质因数的影响。结果表明,选用较低介质损耗的PI材料作为中间层基板的THz谐振器,其欧姆损耗吸波效应更明显,吸波峰较选用较高介质损耗的材料作为中间层基板的THz谐振器有所频移,吸收率有所衰减,而Q值、灵敏度、FOM值更高。通过优化,在0.982 THz附近得到一个3 dB带宽约为6.88 GHz的吸波谱,相应的Q值为142.73,其吸收率为0.936。最后对THz谐振器的传感特性进行了测量,其折射率灵敏度为48.21 GHz/RIU,FOM值为7.01/RIU,具有较高的传感特性。

• 单位
  成都信息工程大学; 四川大学