5～6GHz自适应线性化偏置的InGaP/GaAs HBT功率放大器

作者：堵沈琪^*; 陈亮; 李丹; 钱峰; 杨磊

来源：电子元件与材料, 2020, 39(03): 59-70.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.03.010

• 镓化合物
• 异质结晶体管
• 功率放大器
• 自适应线性化偏置电路
• 反馈电路
• 射频功率检测电路

针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5～6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器芯片。针对HBT晶体管自热效应产生的非线性和电流不稳定现象,采用自适应线性化偏置技术,有效地解决了上述问题。针对射频系统的功耗问题,设计了改进的射频功率检测电路,以实现射频系统的自动增益控制,降低功耗。通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术实现该功率放大器芯片。仿真结果表明,功放芯片的小信号增益达到32 dB;1 dB压缩点功率为28.5 dBm@5.5 GHz,功率附加效率PAE超过32%@5.5 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-32 dBc。

• 单位
  南京国博电子有限公司