高比表面积羟基硅酸镁的制备及其形成机理研究

作者：王琪浩; 王余莲^*; 王楠; 李闯; 张俊; 朱益斌; 刘珈伊; 时天骄; 林永瑾; 田伊笛; 苏德生; 袁志刚

来源：沈阳理工大学学报, 2022, 41(06): 58-65.

• 羟基硅酸镁
• 沉淀法
• 比表面积
• 形成机理

以Na2SiO3·5H2O和MgCl2·6H2O为原料，采用沉淀法制备高比表面积羟基硅酸镁，利用X射线衍射、扫描电镜、BET比表面积测试等检测手段，研究硅镁比、体系pH值、反应时间、反应温度、煅烧或水热处理对产物物相结构、微观形貌和比表面积的影响。结果表明：硅镁比为3∶1、体系pH值为10±0.05、反应时间为80min、反应温度为75℃时制得比表面积为263.37m2/g的羟基硅酸镁；经7h水热处理，所得羟基硅酸镁比表面积增加至425.30m2/g,提高了61.48%;羟基硅酸镁是由[SiO4]四面体、[MgO6]八面体及羟基形成的三层状结构，其孔道由层状结构堆叠交错而形成；溶液中的OH-可为Si—O—Mg—OH基团和硅烷醇基团(Si—O—H)的形成提供羟基，有助于提高羟基硅酸镁表面活性和比表面积。

• 单位
  太原理工大学; 沈阳理工大学