高Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究

作者：冯雷; 韩军; 邢艳辉; 邓旭光; 汪加兴; 范亚明; 张宝顺

来源：光电子-激光, 2012, (09): 1754-1759.

DOI：10.16136/j.joel.2012.09.024

• AlGaN
• 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)
• 相分离
• 表面形貌
• Al组分 AlGaN
• metal-organic chemical vapor deposition
• phase separation
• surface morphology
• Al composition

研究了金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统外延高Al组分较厚AlGaN薄膜材料的生长技术。实验发现,AlGaN/GaN结构中的AlGaN材料的相分离现象可能是由于过低的生长V/III以及材料所受的张应力状态所致,而V/III过高时则会出现Al源的并入效率饱和。采用AlN过渡层技术,外延生长了表面无裂纹的45%Al组分较厚(100～200nm)AlGaN薄膜材料。所得材料的Al组分与气相Al组分相同,(0002)面X射线衍射(XRD)双晶摇摆曲线半高宽(FWHM)为376arcsec,并发现AlN过渡层的质量影响着其上AlGaN材料的Al组分与晶体质量。实验观察到AlGaN材料的表面形貌...

• 单位
  北京工业大学; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所