P+多晶Si1-xGex功函数对异质结CMOS器件电学特性影响的模拟研究

作者：舒斌; 张鹤鸣; 王伟; 宣荣喜; 宋建军; 任冬玲; 吴铁峰; 张永杰

来源：电子器件, 2008, (3): 795-799.

DOI：10.3969/j.issn.1005-9490.2008.03.014

• 异质结CMOS
• p+多晶Si1-xGex栅
• MEDICI模拟
• 功函数

为使垂直层叠SiGe/Si异质结CMOS器件具有匹配的阈值电压,利用二维器件模拟器MEDICI模拟分析了p+多晶Si1-xGex栅的功函数对此类器件直流与交流特性参数的影响,得出在P+多晶Si1-xGex功函数W=0.85 eV,即Ge组分x=0.36时,此类器件的p-MOSFET与n-MOSFET具有匹配的阈值电压,分别为VTp=-0.215 V和VTn=O.205 V.为此类器件的优化设计和

• 单位
  宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 西安电子科技大学