基于R-HBT模型的三值CMOS忆阻混合型D触发器

作者：韩琪; 王旭亮; 吴巧; 罗文瑶; 林弥^*

来源：杭州电子科技大学学报(自然科学版), 2021, 41(06): 1-5.

DOI：10.13954/j.cnki.hdu.2021.06.001

• 忆阻器
• CMOS混合型
• 多值逻辑
• D触发器

研究多值忆阻逻辑电路,采用三值忆阻逻辑运算单元,设计了三值CMOS忆阻混合型D锁存器,该三值忆阻逻辑运算单元以CMOS和电阻-异质结双极性晶体管(Resistor-Heterojunction Bipolar Transistor, R-HBT)负阻型忆阻器等效模型为核心,构成的三值CMOS忆阻混合型D锁存器包括4个三值忆阻与非单元和1个三值忆阻反相器,结构简单。在忆阻D锁存器的基础上,设计了上边沿触发的三值CMOS忆阻混合型D触发器,该D触发器为主从型结构。PSPICE仿真结果符合三值D触发器的逻辑功能,验证了设计的正确性。

• 单位
  杭州电子科技大学