本发明公开了一种实现与n型ZnS准一维纳米材料欧姆接触的电极及其制备方法,其特征是所述电极是为AZO或ITO透明电极,在n型ZnS准一维纳米材料上直接形成,可通过磁控溅射方法或脉冲激光沉积方法制得,制备的电极经过后退火处理,电极与ZnS准一维纳米材料的欧姆接触可进一步改善。本发明方法解决了电极与n型ZnS准一维纳米材料直接形成欧姆接触的问题,可用于n型ZnS准一维纳米材料相关器件制备与研究,电极制备方法简单,可靠,易于操作。
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