前驱体和退火温度对Nd_2O_3薄膜组分影响的定量研究

作者：张旭杰; 刘红侠; 范小娇; 樊继斌

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (03): 375-381.

• 原子层淀积
• Nd2O3
• 前驱体温度
• X射线光电子能谱仪 atomic layer deposition
• Nd2O3
• precursor temperature
• X-ray phoroelectron spectroscopy

采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体,利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜,并在N2气氛下进行了退火处理.采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析.研究结果表明,淀积过程中将前驱体温度从175℃提高到185℃后,薄膜的质量得到提高,O/Nd原子比达到1.82,更接近理想的化学计量比,介电常数也从6.85升高到10.32.

• 单位
  西安电子科技大学