SiCf/SiC陶瓷基复合材料单颗磨粒磨削试验研究

作者：殷景飞; 徐九华^*; 丁文锋; 苏宏华; 曹洋; 何静远

来源：中国机械工程, 2022, 33(15): 1765-1771.

• 陶瓷基复合材料
• 磨削
• 侧边崩碎
• 纤维断裂

对碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料(SiCf/SiC)进行了单颗磨粒磨削试验，研究了脆性去除模式下磨削中侧边崩碎规律。研究结果表明：磨削SiC基体时，基体内裂纹易引发磨削中大块侧边崩碎；磨削纤维时，侧边崩碎宽度随纤维与磨削方向夹角的增大而增大；磨削90°纤维时，提高磨削速度可减小侧边崩碎程度；以50 m/s和90 m/s的磨削速度磨削造成的侧边崩碎宽度比以20 m/s磨削时的侧边崩碎宽度分别小30%和60%;在试验参数范围内，增大磨削用量不会增大磨削中侧边崩碎程度，但可以提高材料去除率。

• 单位
  南京航空航天大学