HEMT器件质子辐射效应仿真

作者：马毛旦; 曹艳荣^*; 吕航航; 王志恒; 任晨; 张龙涛; 吕玲; 郑雪峰; 马晓华

来源：太赫兹科学与电子信息学报, 2022, 20(09): 922-933.

• GaN材料
• HEMT器件
• MIS-HEMT器件
• 质子辐射仿真

GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有抗高频、耐高温、大功率、抗辐射等特性，在核反应堆、宇宙探测等辐射环境中具有广阔的应用前景。借助SRIM软件仿真1.8 MeV质子辐射对不同AlGaN势垒层纵向尺寸下的常规耗尽型器件内部产生空位密度的影响，并观察空位密度随深度的变化规律。在最优AlGaN势垒层厚度条件下，通过仿真对比5种不同栅氧层材料的MIS-HEMT器件，发现氮化铝(AlN)栅氧层材料具有相对较好的抗辐射效果。

• 单位
  机电工程学院; 西安电子科技大学