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摘要
利用DLP技术成功制备出两种氮化硅陶瓷点阵结构：以Gyroid为代表的TPMS结构和以Octet truss为代表的桁架结构。以试样的准静态单轴压缩试验为力学响应，研究并比较了不同结构的几何参数对点阵结构力学性能的影响。结果表明，在单胞尺寸相同的条件下，与Octet truss结构相比，Gyroid结构总体上表现出更加优异的力学性能。当单胞尺寸为4 mm×4 mm×4 mm、壁厚为0.55 mm时，Gyroid结构的抗压强度达到了最高的82.8 MPa，而Octet truss结构的最大抗压强度仅为24.1 MPa。使用有限元软件在相同静力学的条件下对两种陶瓷点阵结构的应力分布进行了分析，为氮化硅陶瓷的轻量化设计与应用奠定了基础。
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