碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，具有相比于第一、二代半导体更优异的特性，在微电子、光电子等领域有着重要的应用价值。制备得到高质量、大尺寸的SiC单晶是实现其产业应用的前提。PVT法生长SiC单晶是现今的主流生长方法。总结了PVT法生长SiC单晶的四个主要影响因素的研究进展，拟在寻找未来的研究和发展方向。
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