一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法

作者：贾仁需; 赵淑婷; 元磊; 张玉明

来源：2022-02-16, 中国, CN202210143112.7.

本发明公开了一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法,包括：衬底、异质外延缓冲层、外延沟道层、源区重掺杂欧姆接触区、漏电极和栅电极；异质外延缓冲层的材料为β-Ga-2O-3；异质外延缓冲层内分别设有源区电流阻挡层；异质外延缓冲层内设有外延沟道层；外延沟道层的材料为掺杂的β-Ga-2O-3；外延沟道层上开设有沟槽；外延沟道层上和沟槽的内壁上设有第一栅氧化层；第一栅氧化层的表面设有第二栅氧化层,第二栅氧化层的表面设有第三栅氧化层；异质外延缓冲层上设有钝化层；栅电极的两侧分别设有源电极；述源电极下端连接有源区重掺杂欧姆接触区。本发明提高了β-Ga-2O-3MOSFET击穿电压,减少栅漏电流,改善器件高温可靠性,实现增强型MOSFET。

• 单位
  西安电子科技大学