Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜的耐压特性研究

作者：朱斌; 张洪波; 王文君; 李司中; 赵强; 陈宏伟; 杨传仁; 张继华

来源：压电与声光, 2013, (01): 112-115.

• Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜
• 铁电
• 耐压
• 集成电容 BST films
• ferroelectric
• voltage withstand
• integrated capacitor

采用射频磁控溅射法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了基片、退火温度及膜厚对薄膜耐压特性的影响。结果显示,铝酸镧(LaAlO3)基片上制备的BST薄膜表面较平整,有较好的耐压;随着退火温度从750℃提高到850℃,BST薄膜晶粒长大,电击穿概率有所增加,750℃是一个较合理的退火温度。在优化的工艺条件下,BST薄膜耐压可达125V/μm。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学