利用ZnCl2原位钝化电子传输层提高量子点发光二极管性能

作者：王北恒; 高懿韦; 王艳林; 曹松; 余春燕; 翟光美^*

来源：微纳电子技术, 2023, 60(12): 1928-1936.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2023.12.004

• 量子点发光二极管(QLED)
• ZnO
• 原位钝化
• ZnCl2
• 电子传输层

在量子点发光二极管(QLED)中，电子-空穴注入不平衡和量子点层/电子传输层间界面的荧光猝灭限制着QLED效率的提升。基于此，采用金属卤化物(ZnCl2)原位处理电子传输层方法来减少氧化锌(ZnO)电子传输层的氧空位，同时有效钝化其表面不饱和键，因此在一定程度上实现抑制量子点/电子传输层界面的荧光猝灭和提高QLED中的电子-空穴注入平衡的目的，最终得到了高亮度、高效率的QLED。原位钝化处理后的ZnO基QLED的最大亮度、峰值电流效率、峰值功率效率和峰值外量子效率(EQE)分别从未处理QLED的176 800 cd/m2、9.86 cd/A、8.38 lm/W和7.42%提高到219 200 cd/m2、15.14 cd/A、12.66 lm/W和11.65%。结果表明，ZnCl2原位钝化ZnO电子传输层对QLED性能的提升起到重要的作用。

• 单位
  太原理工大学