退火对EBE,IBS和ALD沉积HfO<sub>2</sub>薄膜的抗激光损伤性能影响

刘浩; 马平; 蒲云体; 赵祖珍

doi:10.11884/HPLPB202032.200006

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退火对EBE,IBS和ALD沉积HfO₂薄膜的抗激光损伤性能影响

作者：刘浩; 马平; 蒲云体; 赵祖珍

来源：强激光与粒子束, 2020, 32(07): 11-18.

DOI：10.11884/HPLPB202032.200006

摘要

结合自身实验条件采用电子束蒸发(EBE)、离子束溅射(IBS)和原子层沉积(ALD)三种工艺制备了HfO2薄膜,对其进行退火实验,采用1 064 nm Nd:YAG激光测定了即时沉积和退火后各HfO2薄膜的抗激光损伤能力。研究发现,ALD HfO2薄膜的激光损伤阈值最高,EBE HfO2薄膜次之,IBS HfO2薄膜的损伤阈值最低;300℃退火对各工艺薄膜抗激光损伤能力的影响均为负面,500℃退火则会显著降低ALD HfO2薄膜的抗激光损伤能力。