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摘要
铁电存储器以其优良的特性如低功耗、高耐久性和非挥发存储等而成为人们的关注点。由于要处理海量资料，必须要有高密度的内存整合，因此存储介质往往很薄。然而，在膜层减薄的情况下，传统钙钛矿材料的铁电性能将急剧下降，这对高密度集成的应用带来了严重的困难。研究表明，正交相的氧化铪具有铁电性，不但与CMOS工艺兼容，而且其铁电性在超薄膜厚下仍然保持优良，为实现大规模生产奠定了基础。但是，它存在唤醒效应、印记效应及可靠性不足等问题。调控相结构和氧空位状态是提高铁电性能的关键。本文将从元素掺杂、应力影响、氧空位调控等多方面介绍铪基薄膜铁电存储器改性的研究。
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