摘要

二氧化锡(SnO_2)的一种晶体结构——正交相是高温高压相,不易合成,因此,其性质探测和技术应用研究一直停滞不前.利用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition,PLD)技术,在相对较低压力和较低温度下制备较纯的正交相SnO_2薄膜.实验结果表明,这种正交相SnO_2薄膜的透明度优于常规四方相SnO_2,其半导体带隙大于四方相SnO_2.