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摘要
随着现代工业的快速发展，SiC/Cu复合材料以其优异的导电性、高强度、导热性等在电子封装领域有着巨大的应用前景。通过化学镀与粉末冶金法成功制备了高体积分数β-SiC@Cu/Cu复合材料，并通过金相显微镜、XRD、SEM等分析手段对其物相、微观组织和热膨胀系数进行了表征。结果表明：随着SiC体积含量的增加，β-SiC@Cu/Cu复合材料的致密度、抗弯强度均减小，而复合材料的硬度随之增大；β-SiC@Cu/Cu复合材料的抗弯强度达在70 MPa以上，热膨胀系数为4.5×10-6～10.0×10-6/℃,满足现代电子封装材料性能要求。
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单位南昌航空大学; 陆军航空兵学院
