CMOS图像传感器及其形成方法

来源：传感器世界, 2023, 29(09): 51.

<正>申请号:202310630542.6【申请日】2023.05.26【公开号】CN116435323A【公开日】2023.07.14【分类号】H01L27/146【申请人】武汉新芯集成电路制造有限公司【发明人】罗清威;周雨薇【摘要】本发明涉及一种CMOS图像传感器及其形成方法。所述CMOS图像传感器中，源极跟随晶体管的栅极包括位于栅极沟槽内的第一栅极和位于半导体衬底上且与所述第一栅极连接的第二栅极，