通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟

作者：文于华; 范冰丰; 骆思伟; 王钢; 刘扬

来源：半导体技术, 2008, 33(S1): 112-115.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2008.s1.052

• 铝镓氮/氮化镓
• 异质结场效应管
• ANSYS
• 通孔结构

使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,对由两栅指结构扩展得到的多栅指结构HFET进行了模拟。结果表明,衬底材料、衬底厚度、栅间距和通孔深度对器件的热特性均有明显的影响,选择合适的参数有利于改善器件的性能;当栅指数目增加时,器件的峰值温度增大,散热趋向于困难。

• 单位
  光电材料与技术国家重点实验室; 中山大学