Co掺杂量对ZnO薄膜结构及光学特性的影响

作者：温晓莉; 陈钊; 陈长乐

来源：功能材料, 2009, (06): 892-895.

• Zn1-xCoxO薄膜
• 掺杂浓度
• 光致发光
• PLD Zn1-xCoxO thin film
• doping concentration
• photoluminescence
• transmittance
• PLD

采用脉冲激光沉积法(PLD)在SiO2衬底上成功制备了具有c轴择优生长特性的Zn1-xCoxO(x=0.05、0.1、0.2、0.3)系列薄膜。通过X射线衍射和能谱仪研究了Co掺杂量对薄膜晶体结构和成分的影响;同时利用光致发光谱(PL)和透过率研究了薄膜的光学特性。结果表明,当掺杂浓度为10%时,薄膜生长最好,c轴择优生长最为显著;Co元素的掺入改变了薄膜的紫外、绿光和蓝光发射,分析认为主要是Co元素的掺入量改变了薄膜的禁带宽度、氧错位缺陷浓度和锌填隙缺陷的浓度;Co元素掺杂浓度为5%时,薄膜的透过率超过90%。此外,探讨了不同波段光发射的可能机理。

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学