硅衬底上生长高结晶性黑磷薄膜研究取得进展

来源：化工新型材料, 2020, 48(06): 293.

<正>近期,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张凯与湖南大学教授潘安练、深圳大学教授张晗合作,在《自然-通讯》上报道了一种在硅等介质基底上生长高结晶性黑磷薄膜的方法。黑磷是一种具有高载流子迁移率、0.3～1.5eV随厚度可调直接带隙以及各向异性等优异性质的二维层状半导体