PVT法生长4H-SiC晶体及多型夹杂缺陷研究进展

作者：王宇; 顾鹏; 付君; 王鹏刚; 雷沛; 袁丽

来源：人工晶体学报, 2022, (12): 2137-2152.

DOI：10.3969/j.issn.1000-985X.2022.12.020

• 碳化硅晶体
• 物理气相传输
• 堆垛次序
• 多型夹杂
• 缺陷抑制
• 晶型鉴别

作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅因具备宽的带隙、高的热导率、高的击穿电场以及大的电子迁移速率等性能优势,被认为是制作高温、高频、高功率以及高压器件的理想材料之一,可有效突破传统硅基功率半导体器件的物理极限,并被誉为带动"新能源革命"的绿色能源器件.作为制造功率器件的核心材料,碳化硅单晶衬底的生长是关键,尤其是单一4H-SiC晶型制备.各晶型体结构之间有着良好的结晶学相容性和接近的形成自由能

• 单位
  北京大学