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摘要
为实现W波段多通道收发芯片小型化，研究了多层硅片垂直堆叠实现的三维硅基异构集成技术。基于高精度刻蚀工艺制作掩埋芯片的槽体和腔体，利用金属化通孔和上、下金属层实现了集成波导传输结构和滤波结构，结合金属化通孔的紧密分布实现了电磁屏蔽侧墙，该工艺在实现小型化的同时保证了抗干扰能力。采用高深宽比的通孔刻蚀技术和金属化技术实现信号的垂直传输，通过金丝键合实现微波单片集成电路(MMIC)芯片和硅基传输结构的物理连接，使用低温晶圆键合技术实现了硅片垂直堆叠，最终经微组装技术实现了92～96 GHz多通道多功能芯片。经测试，接收通道噪声系数小于6.2 dB,接收增益约大于14 dB,发射通道饱和输出功率达到20 dBm,验证了该技术的可行性，为W波段小型化多功能芯片提供了良好的设计思路。
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