高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能

作者：陈亮; 张燕; 陈俊; 郭丽伟; 李向阳; 龚海梅

来源：红外与激光工程, 2007, (06): 928-931.

• GaN/AlGaN
• p-i-n
• 紫外探测器
• 响应光谱 GaN/AlGaN
• Ultraviolet detector
• Spectral responsivity

研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝石,缓冲层为AlN,n型层采用厚度为0.8μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面,光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段,响应区域为310～365 nm,在360 nm处响应率最大,为0.21 A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到82%;...

• 单位
  传感技术国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院物理研究所