本发明公开了一种基于自钝化MXene/Si范德瓦尔斯肖特基结的高速光探测器,是以设有绝缘层的单晶硅衬底作为基底,通过刻蚀掉部分区域的绝缘层裸露出硅,在裸露的硅上旋涂MXene薄膜,在单晶硅衬底的下表面设置与单晶硅衬底呈欧姆接触的底电极,MXene薄膜与硅形成肖特基结。本发明所制备的光探测器具有肖特基势垒高度高、响应速度快、电流大、自钝化等优势,同时具有制备方法简单、兼容性强、稳定性高、易制备大面积器件等优点。
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