摘要
为了制备满足超高分辨率射线探测要求的超导转变边界探测器,对制备的Mo薄膜和Mo/Cu薄膜表征了其超导电学特性。结果表明,制备的Mo薄膜具有较好的超导性能,Mo/Cu薄膜的ΔT达到了2.1 mK@352 mK,α值达到了335。在1 mA的电流下,该α值可以满足超高分辨射线探测的要求。
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为了制备满足超高分辨率射线探测要求的超导转变边界探测器,对制备的Mo薄膜和Mo/Cu薄膜表征了其超导电学特性。结果表明,制备的Mo薄膜具有较好的超导性能,Mo/Cu薄膜的ΔT达到了2.1 mK@352 mK,α值达到了335。在1 mA的电流下,该α值可以满足超高分辨射线探测的要求。