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摘要
使用MEMS微镜搭建的光扫描式激光干涉直写设备具有体积小、直写速度快、光路简单等优点，但是其扫描时需要对曝光时间进行修正以达到均匀的曝光效果。本文介绍了该种激光干涉直写设备的光路组成以及控制方法，采用查表法进行对生成的曝光图样和曝光时间参数进行了优化，使像素点直径变化从84%降低到了6%左右，解决了应用MEMS微镜的激光干涉直写设备存在的曝光时间不均匀的问题。
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单位上海科技大学; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
使用MEMS微镜搭建的光扫描式激光干涉直写设备具有体积小、直写速度快、光路简单等优点，但是其扫描时需要对曝光时间进行修正以达到均匀的曝光效果。本文介绍了该种激光干涉直写设备的光路组成以及控制方法，采用查表法进行对生成的曝光图样和曝光时间参数进行了优化，使像素点直径变化从84%降低到了6%左右，解决了应用MEMS微镜的激光干涉直写设备存在的曝光时间不均匀的问题。
