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摘要
在Ni基体电沉积不同厚度的Ni-CeO2复合镀层并对其进行620°C低温渗铝,制备了剩余复合镀层厚度分别约为10和45μm厚的δ-Ni2Al3-CeO2/Ni-CeO2涂层体系。1000°C真空退火5 h后,以上两种涂层体系均可在铝化物/镀层界面形成CeO2富集层。但剩余复合镀层厚度为10μm的涂层体系由于氧化物富集程度不足,涂层退化程度较剩余复合镀层厚度为45μm的涂层体系严重。可见,在镀层氧化物颗粒含量一定的情况下,渗铝后剩余镀层厚度是影响扩散障有效性的重要因素。
- 单位
在Ni基体电沉积不同厚度的Ni-CeO2复合镀层并对其进行620°C低温渗铝,制备了剩余复合镀层厚度分别约为10和45μm厚的δ-Ni2Al3-CeO2/Ni-CeO2涂层体系。1000°C真空退火5 h后,以上两种涂层体系均可在铝化物/镀层界面形成CeO2富集层。但剩余复合镀层厚度为10μm的涂层体系由于氧化物富集程度不足,涂层退化程度较剩余复合镀层厚度为45μm的涂层体系严重。可见,在镀层氧化物颗粒含量一定的情况下,渗铝后剩余镀层厚度是影响扩散障有效性的重要因素。
