超宽带高功率高增益放大器芯片设计

作者：邬海峰; 王测天; 胡柳林; 林倩^*

来源：现代信息科技, 2022, 6(10): 64-66.

DOI：10.19850/j.cnki.2096-4706.2022.10.016

• HMET
• 超宽带
• 高压技术
• 低功耗
• 功率放大器

介绍了一种基于HEMT工艺的高增益、高功率宽带单片微波集成电路功率放大器芯片。该芯片采用六个三堆叠式晶体管管胞构成非均匀分布式放大器结构，可获得高增益和高功率输出能力。在0.1～20 GHz超宽带频率范围内，该芯片增益为19±1.5 dB，功率输出能力为38 dBm，尺寸为2×3.1 mm2。同时，该芯片可以覆盖到更低频段(接近DC工作范围)，当采用两个0.22 μH的锥形电感作为偏置扼流圈时，这个放大器的芯片可以向下拓展到1 MHz并且具备21 dB增益。

• 单位
  青海民族大学; 成都嘉纳海威科技有限责任公司