本发明公开了一种基于ZnO衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法,采用II-VI族族化合物半导体ZnO作为衬底,通过对ZnO衬底进行合理的预处理,调节生长压力,流量以及温度,实现石墨烯生长的最优化,在ZnO上面直接生长石墨烯,无需金属作为催化剂,生长的石墨烯无需转移过程,为氧化锌-石墨烯结构器件提供了材料,可直接用于制造各种器件,提高了器件的电学特性,可靠性,降低了器件制造的复杂性。可以生长出具有半导体洁净度的大面积石墨烯材料。
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