6H-SiC晶片的退火处理

作者：姜守振; 李娟; 陈秀芳; 王英民; 宁丽娜; 于光伟; 胡小波; 徐现刚; 王继杨; 蒋民华

来源：人工晶体学报, 2006, (05): 949-952.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2006.05.010

• 升华法
• SiC
• 退火 sublimation method
• annealing

本文在背景Ar气压力为8×104Pa、温度为1800~2000℃的条件下,对升华法生长S iC单晶的籽晶进行了原位退火处理,利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H-S iC晶片表面进行了观察,研究了退火温度和时间对晶片表面的影响。发现经过退火处理后的籽晶表面存在规则的生长台阶,有助于侧面生长模式的发展,进一步有助于台阶流生长模式的发展。通过对籽晶的退火处理,降低了螺旋生长中心的密度,从而减少多型夹杂、小角度晶界和微管等缺陷的出现,提高了晶体质量。

• 单位
  晶体材料国家重点实验室; 山东大学