一种非对称双栅结构的纳米管隧穿晶体管

作者:王雪珂; 石艳玲; 孙亚宾; 李小进; 刘赟
来源:2021-08-23, 中国, ZL202110967348.8.

摘要

本发明公开了一种非对称双栅结构的纳米管隧穿晶体管,包括内部栅极、内部高介电常数栅极氧化物、沟道重叠区、源极一侧沟道非重叠区、漏极一侧沟道非重叠区、外部高介电常数栅极氧化物、外部栅极、源极、漏极、内部漏极介质隔离层、外部漏极介质隔离层、内部源极介质隔离层、外部源极介质隔离层、绝缘隔离层、衬底。特征是内部栅极和外部栅极的非对称结构,通过不同的功函数设置和电压偏置,本发明在沟道重叠区中反型出的电子空穴层间发生隧穿。与现有纳米管隧穿晶体管相比,不要求源极沟道结处具有陡峭的掺杂分布,降低工艺难度;同等面积上可获得更大的电流密度,提高电流驱动能力;在大的电流范围内具有陡峭的亚阈值斜率,利于工作电压的缩放。