用于200V电平位移电路的薄层SOI高压LDMOS

作者：陈正才; 周淼; 洪根深; 高向东; 苏郁秋; 何逸涛; 乔明; 肖志强

来源：电子与封装, 2013, (06): 38-42.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2013.06.005

• LDMOS
• 薄层SOI
• 多阶场板
• 场注技术
• 高压电平位移电路 LDMOS
• thin layer SOI
• multiple field plates
• field implant technology
• high voltage level shift circuit

文章基于1.5μm厚顶层硅SOI材料,设计了用于200 V电平位移电路的高压LDMOS,包括薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS。薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS都采用多阶场板以提高器件耐压,厚栅氧pLDMOS采用场注技术形成源端补充注入,避免了器件发生背栅穿通。文中分析了漂移区长度、注入剂量和场板对器件耐压的影响。实验表明,薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS耐压分别达到344 V和340 V。采用文中设计的高压器件,成功研制出200 V高压电平位移电路。

• 单位
  中国电子科技集团公司; 电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室