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摘要
以八仙花的茎段、茎尖、叶片为外植体,在MS培养基中加入不同质量分数的6-苄基腺嘌呤(6-BA)和吲哚丁酸(IBA)进行增殖培养.结果表明:适宜八仙花外植体表面灭菌的方法是利用0.1%氯化汞(HgC l2)灭菌7 m in;不同类型的八仙花外植体在初代培养时的增殖效果不同,茎尖在培养过程中首先伸长生长,然后陆续长出侧芽,表明八仙花的茎尖是比较适合用来进行增殖培养的外植体;继代培养以MS+6-BA 1.0 mg.L-1+IBA0.12 mg.L-1为较适宜的增殖培养基;侧芽在1/2 MS+IBA 0.2 mg.L-1培养基中生根率和单苗根数量均较高,说明1/2 MS+IBA 0.2 mg.L-1为较好的不定根诱导培养基.
