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摘要
针对光电耦合器在LLC谐振半桥拓扑结构中的应用失效问题,通过参数测试、 X射线透视检查、制样镜检、机械开封、电子显微镜观察与能谱分析等手段开展失效分析,确定失效是由于光电耦合器存在批次性的工艺缺陷导致,并提出了相应的缺陷识别及工艺改进方法,为光电耦合器的可靠性增长提供了实践依据。
- 单位
针对光电耦合器在LLC谐振半桥拓扑结构中的应用失效问题,通过参数测试、 X射线透视检查、制样镜检、机械开封、电子显微镜观察与能谱分析等手段开展失效分析,确定失效是由于光电耦合器存在批次性的工艺缺陷导致,并提出了相应的缺陷识别及工艺改进方法,为光电耦合器的可靠性增长提供了实践依据。
